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| Descrição | Módulo IGBT |
|---|---|
| Código interno | IMP216635 |
| Especificação técnica | Configuração: inversor trifásico Tensão do coletor-emissor VCEO Max: 1,2 kV Tensão de saturação do coletor-emissor: 2,2 V Corrente de coletor contínua a 25 C: 35 A Corrente de fuga do emissor-porta: 300 nA Dissipação de energia - Pd: 180 W Temperatura operacional mínima: - 40 C Temperatura máxima de operação: + 150 C |
| Peso | 1 |