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| Descrição | Módulo IGBT |
|---|---|
| Código interno | IMP4751131 |
| Especificação técnica | Configuração: Dual Tensão do coletor-emissor VCEO Max: 1200 V Tensão de saturação do coletor-emissor: 1,75 V Corrente contínua do coletor a 25 C: 320 A Corrente de fuga do emissor de porta: 400 nA Pd - Dissipação de energia: 1100 W |