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| Descrição | Módulos de silício IGBT |
|---|---|
| Código interno | IMP1344518 |
| Especificação técnica | FINEON TECHNOLOGIES AG MÓDULO IGBT 1200V 225A Produto: Módulos de silício IGBT Tensão do coletor-emissor VCEO Max: 1200 V Tensão de saturação do coletor-emissor: 2,15 V Corrente contínua do coletor a 25 C: 225 A Corrente de fuga do emissor de porta: 400 nA Pd - Dissipação de energia: 1050 W Temperatura mínima de operação: - 40 C Temperatura máxima de operação: + 150 C Embalagem: Bandeja Marca: Infineon Technologies Tensão máxima do emissor de porta: 20 V Estilo de montagem: montagem em chassi Tipo de produto: Módulos IGBT Série: Trench/Fieldstop IGBT4 - E4 |
| Peso | 0.35 |