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FP75R12KT4 - Infineon BRASIL VENDAS

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Descrição Módulo de silicone IGBT
Código interno IMP4672783
Especificação técnica Configuração: trifásica Tensão máxima do coletor-emissor VCEO: 1200 V Tensão de saturação do coletor-emissor: 2,25 V Corrente contínua do coletor a 25 C: 150 A Corrente de fuga do emissor da porta: 100 nA Dissipação de energia - Pd: 385 W
Infineon-FP75R12KT4 price

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